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化學氣相沉積設備

化學氣相沉積設備


一、產品概述

1、適用范圍:適合于各單位實驗室、高等院校實驗室、教學等的項目科研、產品中試之用。

2、產品優點及特點:應用于半導體薄膜、硬質涂層等薄膜制備,兼等離子體清洗、等離子體刻蝕。

3、主要用途:主要用來制作SiO2、Si3N4、非晶Si:H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導體及金屬膜。

 

二、技術參數

型號PECVD350
真空腔室結構立式上開蓋結構
真空腔室尺寸Φ350×H300mm
基片臺尺寸Φ200mm
襯底溫度500±5℃
電源RF 500W
控制方式PLC控制
占地面積主機L1600×W800×H1700mm
總功率≥6KW


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